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參考消息網(wǎng)12月12日?qǐng)?bào)道 日本媒體報(bào)道稱(chēng)，國(guó)際半導(dǎo)體設(shè)備與材料協(xié)會(huì)（SEMI）12月10日發(fā)布預(yù)測(cè)稱(chēng)，半導(dǎo)體設(shè)備的2021年全球市場(chǎng)規(guī)模將比上年增長(zhǎng)9.8％，達(dá)到668億美元（1美元約合7元人民...
穩(wěn)壓二極管是工作在反向擊穿狀態(tài)下的，使管子兩端電壓基本不變的一種特殊二極管。選用穩(wěn)壓管時(shí)，要根據(jù)具體電子電路來(lái)考慮，簡(jiǎn)單的并聯(lián)穩(wěn)壓電源，輸出電壓就是穩(wěn)壓管的穩(wěn)定電...
場(chǎng)效應(yīng)管分類(lèi) 場(chǎng)效應(yīng)管分為結(jié)型（JFET）和金屬-氧化物-半導(dǎo)體型（MOSFET）兩種類(lèi)型。 JFET的英文全稱(chēng)是Junction Field-Effect Transistor，也分為N溝道和P溝道兩種，在實(shí)際中幾乎不用。 MOSFET英...
MOSFET的擊穿有哪幾種？ Source、Drain、Gate 場(chǎng)效應(yīng)管的三極：源級(jí)S 漏級(jí)D 柵級(jí)G （這里不講柵極GOX擊穿了啊，只針對(duì)漏極電壓擊穿） 先講測(cè)試條件，都是源柵襯底都是接地，然后掃描漏極...
MOS管在硬件設(shè)計(jì)中經(jīng)常使用到，下面是N型MOS管，包括柵極G，源極S，漏級(jí)D。 P型的MOS管的電路符號(hào)如下： MOS管和三極管類(lèi)似，只不過(guò) MOS管是壓控壓型（電壓控制），而三極管是流控流...
一般情況下普遍用于高端驅(qū)動(dòng)的MOS，導(dǎo)通時(shí)需要是柵極電壓大于源極電壓，而高端驅(qū)動(dòng)的MOS管導(dǎo)通時(shí)源極電壓與漏極電壓(VCC)相同，所以這時(shí)柵極電壓要比VCC大4V或10V。如果在同一個(gè)系統(tǒng)...
mos在控制器電路中的工作狀態(tài)：開(kāi)通過(guò)程（由截止到導(dǎo)通的過(guò)渡過(guò)程）、導(dǎo)通狀態(tài)、關(guān)斷過(guò)程（由導(dǎo)通到截止的過(guò)渡過(guò)程）、截止?fàn)顟B(tài)。 Mos主要損耗也對(duì)應(yīng)這幾個(gè)狀態(tài)，開(kāi)關(guān)損耗（開(kāi)通...
對(duì)于MOS管，很多人的印象是模電課本中學(xué)到的小信號(hào)分析模型，以及各類(lèi)放大電路。而在實(shí)際項(xiàng)目中，MOS管常出現(xiàn)在全橋驅(qū)動(dòng)、全橋逆變、Buck/Boost電路等電路里。 除了上述的應(yīng)用中，...
Q：什么原因會(huì)導(dǎo)致MOS管損壞？ A：導(dǎo)致MOS管損壞的主要原因可總結(jié)為五種：雪崩破壞、器件發(fā)熱損壞、內(nèi)置二極管破壞、由寄生震蕩導(dǎo)致的破壞以及因柵極電涌、靜電造成的破壞。 No...
風(fēng)槍溫度調(diào)試，把風(fēng)槍調(diào)到320度，風(fēng)速1檔，MOS管屬于小型玻璃管.容易夾裂，所以在拆的時(shí)候一定要小心.撬的時(shí)候用力一定輕.要顧及周?chē)脑骷荒芘龅?如果有帶膠的芯片需要避開(kāi)...
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